三星量產(chǎn)第三代3D閃存 效率提升40%

花未開

  在3D閃存領(lǐng)域，三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品。

三星量產(chǎn)第三代3D閃存 效率提升40%

  萬(wàn)萬(wàn)沒想到的是，全球第一個(gè)48層堆疊、單Die容量256Gb的首發(fā)被東芝搶了去。

  不過(guò)三星也不是吃素的，今天宣布正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。沒錯(cuò)，這是第三代了。

  從直觀層面來(lái)講，三星比東芝“良心”（忽視售價(jià)）表現(xiàn)在MLC顆粒以及量產(chǎn)能力上，畢竟東芝的說(shuō)法是，我們已經(jīng)準(zhǔn)備好量產(chǎn)了，而三星在繼續(xù)使用現(xiàn)有設(shè)備的情況下，三代的生產(chǎn)效率還提升了40%！

  與容量為128Gb的傳統(tǒng)NAND相比，三星此次量產(chǎn)的新一代256Gb 3D V-NAND閃存芯片密度實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)。除了在單芯片上支持存儲(chǔ)容量高達(dá)32GB（256Gb）之外，新的芯片還能輕松地翻倍提升現(xiàn)有SSD的存儲(chǔ)容量，輕松TB級(jí)別，這可是三星的優(yōu)勢(shì)。

三星量產(chǎn)第三代3D閃存 效率提升40%

  據(jù)悉，在新一代V-NAND閃存中，每個(gè)單元都采用相同的3D Charge Trap Flash（簡(jiǎn)稱CTF）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，每片芯片存儲(chǔ)單元陣列垂直堆疊48層，利用其特殊的蝕刻技術(shù)，通過(guò)18億個(gè)通道孔在陣列上實(shí)現(xiàn)電子互連。每個(gè)芯片共包含853億個(gè)單元。單個(gè)存儲(chǔ)單元容量為3bit，一共能存儲(chǔ)2,560億位的數(shù)據(jù)，換句話說(shuō)，就是一個(gè)不超過(guò)手指尖大小的芯片能存儲(chǔ)256Gb數(shù)據(jù)。

  與32層3bit MLC 128Gb V-NAND閃存相比，當(dāng)存儲(chǔ)相同容量的數(shù)據(jù)時(shí)，一個(gè)48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存功耗能減少30% 。

  當(dāng)然，消費(fèi)級(jí)我們是見不到了，這都是企業(yè)、數(shù)據(jù)中心用的。